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串联铁芯电抗器的铁芯温升
作者:管理员    发布于:2014-07-20 17:49:06    文字:【】【】【

串联铁芯电抗器在运行中铁芯柱有主磁通流过而在铁芯片中产生磁滞损耗和涡流损耗如果设计中磁密或铁饼散热面积等参数选取不当,就会造成铁芯温升很高。目前干式串联铁芯电抗器的气隙绝缘材料大多采用F级的环氧板,当铁芯柱温度超过环氧板的最高耐热温度时,环氧的分解会加速绝缘材料的老化,严重时会使相邻铁饼局部点接触上导致铁芯温升更高、形成恶性循环,同时可能造成串联铁芯电抗器噪音异常。严重影响电抗器的正常使用,并极大降低产品的使用寿命。

在其他参数相同的情况下,选取单位损耗不同的硅钢片。铁芯温升会有较大差异;另外,有取向的硅钢片同无取向的硅钢片相比有明显的方向性,沿着轧制方向的磁性能好、单位铁损小,但有取向的硅钢片对加工等外力敏感程度很高,在受冲孔等加工后单位损耗的增大幅值远比无取向的高,所以设计中要综合考虑。

当主磁通流过气隙时,有一部分磁通将从铁芯饼外表面流出,并绕过气隙流向铁芯外表面,再进入铁芯中去,形成了衍射磁通。衍射磁通包括很大的横向分量。它将在铁芯片中引起极大的附加损耗、增大铁芯温升,为了减小衍射磁通以及降低铁芯饼局部温升,设计时每个铁饼间的气隙厚度不能过大,一般实际取值在15mm以下铁芯电抗器铁芯温升设计计算有时为了增大铁饼的散热面积,在铁饼之间的气隙处亦即铁饼的上下端面留有散热通道,但此处的散热方式是沿水平方向的,其散热作用比较有限,远不及沿高度方向的铁饼表面的散热,设计时需注意到此点。

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